エリオニクス社・ELS-S50KB
電子線描画装置
概要
電子線に感光する樹脂薄膜にナノメートルからマイクロメートルのパターンを描画する装置です。
電子デバイス、光学デバイス、集積回路などの試作品の開発や、半導体チップの原盤となるマスクの作製に用いられます。
装置の仕様・特色
仕様
加速電圧: 50kV,30kV,20kV
最小電子ビーム径: 2nm (於 50kV)
描画最小線幅: 10nm (於 50kV)
描画フィールドサイズ: 最大 1.5x1.5mm(3x3mm 於 20kV) 最小 100μm x 100μm
最大試料サイズ: 4インチφウエハーおよび□4インチマスク
特色
・静電型のビーム偏向器を改良し、1mm□の大面積フィールドに於いても、低歪みで均一な露光が可能。
・高精度リニアエンコーダを搭載し、ステージ位置とビーム位置へのフィードバックにより、つなぎ精度100nm(3σ)以下を実現。
・オート機能の充実により、ビーム調整や描画スタート時の煩わしい操作を大幅に簡略化
自己測定
学内
| 設置年 | 2014 |
|---|---|
| 装置カテゴリ | |
| 適合分野 | 物理学系 |
| 管理部局 | 自然生命科学研究支援センター |
| 使用責任者 | 自然科学研究科(工) |
| 拠点 | 03. 自然生命科学研究支援センター 分析計測・極低温部門 |
共同利用について
| 利用にあたっての留意事項 | 使用希望者は、監守者の指示に従ってください。 |
|---|---|
| 費用負担 |
使用時間と使用消耗品費に応じて、装置維持費用の負担をお願いしている。 |
| 自己測定利用法 |
監守者へ連絡し、操作方法をご相談ください。 |
| 詳細情報 | http://www.okayama-u.ac.jp/user/kikibun/index.htmlhttp://dia.kikibun.okayama-u.ac.jp/equipments/view/541 |
| 利用方法や利用規程 | http://dia.kikibun.okayama-u.ac.jp/files/upload/files/dia/kitei_riyouyoukou.pdf |